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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5778 个

  • MOS管4365 4A/650V参数中文资料及应用领域-免费送样 原厂供货-KIA MOS管

    4365 MOS管产品特征:RDS(ON),典型值=2Ω@ VGS = 10V,ID=2A快速切换100%雪崩测试改进的dt/dt能力

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    www.kiaic.com/article/detail/1354.html         2018-12-21

  • 大电流MOS管型号参数与应用详解-MOS管发热分析-KIA MOS管

    大电流mos管,由于功率MOSFET热稳定性好,故比双极型晶体管并联连接简单。可是并联连接MOSFET用于高速开关则末必简单,从现象看并联连接会发生以下两个问题:1) 电流会集中某一个器件中。2 寄生振荡。

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    www.kiaic.com/article/detail/1352.html         2018-12-21

  • 用理论解释场效应管在电路中如何控制电流大小-场效应管作用与参数-KIA MOS管

    场效应管主要有两种类型由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。场效应管在电路中如何控制电流大小,MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管,你可以用一...

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    www.kiaic.com/article/detail/1350.html         2018-12-20

  • 安定器MOS管配套产品与专用MOS管参数详情-免费送样 厂家直销-KIA MOS管

    文中主要是讲述KIA半导体专为安定器MOS管配套的产品及专用的MOS管参数详情,完整的方案,是您放心使用。

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    www.kiaic.com/article/detail/1349.html         2018-12-20

  • mosfet驱动电路结构及​自举升压结构双电压mosfet驱动电路​解析-KIA MOS管

    mosfet驱动,?跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需...

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    www.kiaic.com/article/detail/1348.html         2018-12-20

  • KIA2808A 150A/80V 替代中航120A/85V 参数详情 免费送样-KIA MOS管

    KIA2808A产品特征:RDS(on) =4.0毫欧(典型值)@ VGS=10V100%雪崩测试可靠、坚固耐用无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准)

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    www.kiaic.com/article/detail/1347.html         2018-12-19

  • MOSFET结构与主要参数等详解-全面的MOSFET驱动技术剖析-KIA MOS管

    MOSFET,金属-氧化层-半导体-场效晶体管.MOSFET最早出现在大概上世纪60年代,首先出现在模拟电路的应用。功率MOSFET在上世纪80年代开始兴起,在如今电力电子功率器件中,无疑成为了最重要的主角器件。MOSFET驱动技术?,?MOS虽然是电压型驱动,但是由于寄生电容...

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    www.kiaic.com/article/detail/1346.html         2018-12-19

  • mos恒流电路-mos恒流电路在电源中的应用与LED恒流驱动电路图-KIA MOS管

    mos恒流电路,由信号源和电压控制电流源(VCCS)两部分组成。正弦信号源采用直接数字频率合成(DDS)技术,即以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据,经D/A转换并滤波后产生EIT所需的正弦信号。本系统采用DDS集成芯片AD9830,其内部有两个12位相位寄存器和两...

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    www.kiaic.com/article/detail/1345.html         2018-12-18

  • to263贴片mos管引脚图及尺寸详情-to263贴片mos管参数型号-KIA MOS管

    to263贴片mos管引脚图,MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式来区分,MOS管封装主要...

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    www.kiaic.com/article/detail/1344.html         2018-12-18

  • 场效应管irf3205供应商 技术参数信息-场效应管irf3205中文资料-KIA MOS管

    场效应管irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得场效应管irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。TO-220封装的场效应管irf3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使场效应管irf3205...

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    www.kiaic.com/article/detail/1343.html         2018-12-18

  • MOS管特价库存出售-仙童、罗姆等各种品牌-价格优惠 欢迎联系-KIA MOS管

    本文为KIA半导体 MOS管特价库存,有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务!

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    www.kiaic.com/article/detail/1342.html         2018-12-18

  • 体育产业发展新趋势-体育产业发展如此迅速的几大原因-KIA MOS管

    体育产业发展,首先了解一下体育产业是什么,它是提高人民生活质量和生命质量的一个幸福的产业。2014年以来我国体育产业进入了一个快速发展期,各类社会资本纷纷进军体育产业,这也促使我们不断深入对体育产业发展新形势、新空间的思考。

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    www.kiaic.com/article/detail/1341.html         2018-12-17

  • 1000W逆变器电路图 分析1000W逆变器制作过程详解 KIA MOS管

    1000W逆变器电路图这个机器,BT是12V,也可以是24V,12V时我的目标是800W,力争1000W,整体结构是学习了钟工的3000W机器,也是下面一个大散热板,上面是一块和散热板一样大小的功率主板,长228MM,宽140MM。升压部分的4个功率管,H桥的4个功率管及4个TO220封装的...

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    www.kiaic.com/article/detail/828.html         2018-12-17

  • 场效应管2300 6.0A/20V参数资料及原厂供货 直销 免费送样-KIA MOS管

    场效应管2300产品特征:VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0AVDS=20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0AVDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A

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    www.kiaic.com/article/detail/1340.html         2018-12-17

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